Micro LED：晶能光电硅衬底GaN基技术的又一重大应用机会

因具有超高解析度，高色彩饱和度，纳秒级响应时间以及低功耗等优点，Micro LED成为Apple、Sony、Facebook、Samsung、LG、OSRAM、Nichia等国际大厂争相布局的新世代显示技术。

作为全球硅衬底GaN基LED技术的领跑者，晶能光电最近也将目光投向了Micro LED。

Micro LED芯片路线的选择，必须要考虑到成本、良率、以及和转移/键合工艺的兼容。外延片尺寸越大，不但可以降低芯片成本，提高外延面积利用率，而且更容易兼容IC工艺以提升Micro LED生产效率和良率。

晶能光电副总裁付羿表示，目前只有硅衬底GaN基LED实现了8英寸量产，并且在单片MOCVD腔体中取得了8英寸外延片内波长离散度小于1nm的优异均匀性，这对于Micro LED来说至关重要。商用的12英寸及以上的硅圆晶已经完全成熟，随着高均匀度MOCVD外延大腔体的推出，硅衬底LED外延升级到更大圆晶尺寸不存在本质困难。

付羿介绍到，硅衬底GaN 基LED采用化学湿法去除衬底工艺以获取LED薄膜芯片，这种湿法剥离避免了对LED外延层的损伤，对保证微小电流驱动的Micro LED的光效和良率非常关键。

作为比较，蓝宝石衬底激光剥离对GaN外延层的损伤难以避免，并且可以预见，当蓝宝石衬底能够升级到更大尺寸后，激光剥离衬底良率的挑战会越来越大。在薄膜芯片制程中，虽然SiC和GaN衬底LED不需要激光剥离，但由于这两种衬底的价格极高（尤其是大尺寸衬底），将加大Micro LED与OLED的市场竞争难度。

他指出，目前Micro LED薄膜芯片的结构设计分为倒装（同侧双电极）和垂直（上下电极）两种。对于典型尺寸的Micro LED（芯片边长不超过10μm），如果采用同侧双电极结构，和控制背板的一次键合就可以完成正负极连接，但在键合过程中容易出现正负电极短路，同时对键合精确度也有很大挑战。与此相比，上下电极的薄膜垂直Micro LED更有助于键合良率，但需要增加一层共阴（或者共阳）的透明电极。

总之，无论后端工艺要求同侧双电极结构还是上下电极结构，大尺寸硅衬底LED薄膜芯片制程都能够相应制备低成本、高良率的Micro LED芯片。

付羿认为，低成本、大尺寸、可无损剥离的硅衬底薄膜LED工艺将有力推动Micro LED的开发与产业化。

对于晶能光电加入Micro LED的研究阵营，易美芯光CTO刘国旭博士评论道：“硅衬底GaN基技术的特性是制造Micro LED芯片的天然选择，晶能光电在硅衬底GaN基LED领域积累了十余年的技术和量产经验，如能转移至Micro LED，Micro LED的应用将会向前迈一大步。”